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  • 地  址:东莞市塘厦镇168工业区
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  • 主  营:提供各类主动元件、被动元件及机电元件等电子零组件、设计开发服务
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用于功率敏感应用的功率半导体器件

飞兆半导体提供覆盖高、中、低功率范围的全系列功率半导体器件。

飞兆是功率半导体的领导者和专家。 我们提供最广泛和最具深度的功率产品组合。 我们的产品在电源、照明、计算、移动、汽车、工业电源、便携式医疗和家用设备等几乎每个功耗敏感型应用中都能实现最大程度的节能。

飞兆解决方案能在提升能效的同时简化系统设计、节省电路板空间、提高系统可靠性并加快上市时间。 

功率管理 Portfolio

  • 先进负载开关 (113)
  • 背光单元(BLU) (5)
  • 电池管理 (14)
  • 地线断路器(GFI)控制器 (6)
  • MOSFET和IGBT栅极驱动器 (83)
  • 电机控制 (85)
  • 非隔离 DC-DC (85)
  • 离线与隔离 DC-DC (109)
  • 功率因数校正 (28)
  • 稳压器 (127)

为什么选择我们的产品

  • 功率管理解决方案是我们的专长。 从 1957 年开始,我们一直提供功率半导体产品。
  • 我们提供种类最多且覆盖高、中、低功率范围的功率半导体器件。
  • 我们使用最具创新的封装技术,旨在实现最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
  • 我们使用针对功率和移动应用而优化的内部过程技术。
  • 我们致力于为您提供一流的客户支持,其中包括在线工具、设计实验室、FAE、以及配备专业电力工程师的区域中心。
  • 飞兆的所有生产地点均已通过 ISO/TS16949:2002 工业标准认证。

框图

应用指南

应用指南 功能/产品 说明
AN-4161 MOSFET, FET, 功率管理, PowerTrench® MOSFETs AN-4161 沟道 MOSFET 在线性工作模式下实现稳定性的实际考虑因素
AN-4163 车用N沟道MOSFET, 车用P沟道MOSFET, MOSFET, 功率管理,
2N7000, 2N7000BU, 2N7000TA, 
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
AN-5241 三相驱动器, AC-DC线性调节器, USB 附件检测开关, 高级限流负载开关, 所有驱动器, 环境光线传感器, 放大器, 模拟与混合信号, 模拟开关, 与门, 音频耳机放大器, 音频插孔检测开关, 音频扬声器放大器, 音频子系统, 音频开关, 汽车半桥驱动器, 车用IGBT, 车用点火IGBT, 车用产品, 车用整流器, 电池充电器IC, BLDC/PMSM控制器, 缓冲器, 总线开关, CCFL反相器IC, 电荷泵转换器,
Guidelines for Pb-Free Soldering of Fairchild Components Based on JEDEC® J-STD 20D / IEC EN 61760-1:2006
AN-6099 MOSFET, 功率管理,
FDB035N10A, FDB075N15A, FDB082N15A, FDB110N15A,
采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度
AN-7515 车用N沟道MOSFET, 车用P沟道MOSFET, MOSFET, FET, 功率管理,
2N7000, 2N7000BU, 2N7000TA,
AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
AN-9005 车用N沟道MOSFET, 车用P沟道MOSFET, MOSFET, 功率管理, SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs,
2N7000, 2N7000BU,
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
AN-9010 车用N沟道MOSFET, 车用P沟道MOSFET, MOSFET, FET, 功率管理,
2N7000, 2N7000BU, 2N7000TA,
MOSFET 基础
AN-9034 车用N沟道MOSFET, 车用P沟道MOSFET, MOSFET, FET, 功率管理, Central Inverter System, Micro Converter System, Micro Inverter System, Welding Machine,
2N7000,
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
AN-9039 功率管理 Using the FDMS2380 Dual Integrated Solenoid Driver
AN-9067 MOSFET, FET, 功率管理, SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs, Telecom LLC, Telecom Phase-shift Full Bridge,
FCA20N60F, FCA47N60F,
LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析
AN-9068 MOSFET, FET, 功率管理, Telecom LLC, Telecom Phase-shift Full Bridge,
FCA16N60N, FCA22N60N, FCA36N60NF,
SupreMOS®门极电阻设计指南

产品介绍手册

技术文章

研讨会

适合LED照明应用、具有恒流输出的高功率因数反激技术
本文说明采用反激式拓扑、具有高功率因数输入和恒流输出的AC/DC转换器的原理。 为此,最常用的工作模式是临界导通模式(BCM)。 本文详细阐述了该模式的基本原理,并阐明了其缺点。 详细介绍并阐明了用于提高功率因数的一个简单方法。 在DCM模式下工作可提高功率因数和总体谐波失真,同时降低峰值漏极电压。 提供快速设计实例,并阐明了驱动高功率LED的特殊问题。
电源中的电磁干扰(EMI)
不断增大的功率密度、更快的开关速度以及更高的电流迫使设计人员不得不花更多时间考虑电磁干扰(EMI)的影响,并调试其他方面很完善但存在EMI问题的设计。 本文说明了不同类型的EMI及其耦合机制以及现有的EMI规定。 考察了最常见的噪声源、传输路径和接收器灵敏度。 根据实际的设计和测量,推荐可在整个设计周期内采用的特定步骤,以使电源可靠工作并通过EMI测试。

产品信息网上音频

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October 31, 2011 5 min 17 sec 4.9MB Download
飞兆半导体的 Power Supply WebDesigner(PSW)设计工具自动生成物料清单 (BOM),您可加密保存您的设计,以备您或您团队中的其他人将来用作参考。 无论您是否是电源专家,均可使用 PSW 节省数天到几周的工程设计时间。

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