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瑞萨电子IGBT系列新品


  瑞萨电子发表2新款IGBT单管,包括600V50A的RJH60D7B与600V37A的RJH60D5B。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置,适用于例如电焊机、UPS、变频器、太阳能发电机的功率调节器(功率转换器) 等处理高电压及大电流之设备。新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础,权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗,且提高短路耐受能力。


新款IGBT的主要功能:

  提高工作频率,D5B/D7B最高工作频率可达50KHZ,相比与早期的F5/F7的30KHZ提高了60%。如果原来是用低频IGBT单管且以变压器做为驱动的方案,如果换成高频IGBT,好处有两点:
  1.可以把变压器的机芯由超微晶换成铁氧体的材质,这样可以不少节省成本;
  2.开关频率的增加,效率的提高也是未来的发展趋势;
  3.就价格来说其实跟现有的同规格的IR、ST、FC、infineon等等相比相当甚至可能更便宜。



  近年来,于环保与其他因素之考量下,促使高能源效率之电子设备需求增加,并持续推动太阳能与风力发电等洁净能源,针对高电压及大电流之设备也持续努力提升其能源效率,例如太阳能逆变器、大电流变频器控制马达、大功率的空调压缩机驱动板。为了大幅降低上述设备之直、交流转换损耗,高效能的IGBT产品需求于是增加。但是,这必须权衡其饱和电压,这个参数是在大电流操作下达成低损耗以及高短路电流耐受能力的关键。以往并无法兼得低损耗与高达约10微秒的短路耐受能力,一般认为这对于马达驱动器等应用都是不可或缺的,为因应此需求,瑞萨开发出上述高效能IGBT。

用于逆变的IGBT

选型参数表
选型手册:
  • 通用IC/晶体管/晶闸管/双向晶闸管的选型手册32768KB
  • Renesas电子模拟&功率器件型号速查手册2582KB
型号 封装 额定参数 特性
VCES (V) IC (A) VCE(sat) (V) typ tf (μs) typ
RJH60D0DPK
TO-3P/MP-88
600
45
2.2
0.07
RJH60D5BDPQ
TO-247
600
75
1.6
0.05
RJH60D7BDPQ
TO-247
600
90
1.6
0.05
RJH60F5DPQ-A0
TO-3PSG
600
80
1.8
0.085
RJH60F7DPQ-A0
TO-3PSG
600
90
1.75
0.074


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